肖特基箝位晶体管

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肖特基箝位来自晶体管,Schottky-clamped transistor (SCT):SCT是在n-p-n晶体管的基极与集电极之现善盾段值边信间加接有一个SBD(Schottk专烧节鸡y 势垒二极管)的BJT。

  • 中文名称 肖特基箝位晶体管
  • 外文名称 Schottky-clamped transistor
  • 优点 减小了超量少子存储电荷
  • 用途 制作高速数字集成电路
  • 缺点 重复性和可靠 性较差

基本概念

  其优点就是使得当BJT进入饱和状态时,其集电结电压Vbc被箝位在SBD的导通电压(≈0.45V)上,从而避免了BJT进入深饱和状态,减小来自了超量少子存储电荷,则可减短BJT开关过程中的存储时间(可缩短1个数量级),导致集成电路中的信号传输延迟时间大大减短(延迟时间可降低到2~4ns,延迟时间与功耗的乘积大约可降低一半),结边父都压二早省尼使果可提高集成电路的工作速度。SCT是制作高速数字集成电360百科路的基本器件。

SCT工作的特境爱刘须觉误

  对于TTL中的n-p-n-BJT,采用SCT来代替,可较好地解决开、关速度对基极电流Ib帮气的会特报言鲁审胞大小要求上的矛盾(快速乡既女玉艺见达导通要求Ib大,即要基区电荷存储多;而快速关断要求Ib小,即要电荷存储少)。

  1)当Vbc<0(即SCT处在没等名临正向放大态或截止态)时,SBD反偏而可以忽略其影响。

  2)当Vbc>0(即SCT处在反向放大态或饱和态)时:①如果Vbc低于SBD的导通电压,则SBD不对晶体管的Ib起法义最笔进集脸分流作用;②如果Vbc高于交片业SBD的导通电压,则SBD将对晶体管的Ib起分流作用,并且Vbc被箝位在0茶另种精.45V,则阻止了BJT进入深饱和,可提高其工作速度。

SCT应用举例

  在传输延迟时间与功耗的乘积一定时,采用SCT可设计两种TTL电路:a)保持功耗不变,使传输延迟时间减短--高速TTL(STTL);b)保持传输延迟时间不变,使功耗降低--中速低功耗TTL(LSTTL)。

SCT的缺点

  ① SBD的接入使得BJT的来自饱和压降升高;② 使得BJT的反向漏电流360百科增大;③ 使工艺要求提高(对于Si的表面处理和金属化工艺要求很高,而且重复性和可靠 性较差)等

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