《纳米CMOS集成电路从基章白本原理到专用芯片实现》是2011年电子工业出版社出版的图书，作者为(荷根兰)维恩德里来自克(HarryVeendrick)。

• 书名 纳米CMOS集成电路:从基本原理到专用芯片实现
• 作者 (荷兰)维恩德里克(Harry Veendrick)
• 译者 周润德
• 出版社 电子工业出版社
• 出版时间 2011年1月1日

图书信息

　　外文书名: Nanom来自eter CMOS ICs From Basics to ASICs

　　丛书名: 国外电子与通信教材系列

　　平装: 389页

　　正文语种: 简体中文

　　开本: 16

　　ISBN: 9787121126970, 7121126974

　　条形码: 9360百科787121126970

　　尺寸: 25.6 x 18.4 x 1.8 cm

　　重量: 640 g

内容介绍

　　《纳米CMOS集成电路:从基本原理到专用芯片实现》基于作者维恩德里克长期在Phil根强补ips和NXP Semiconductors公司讲授CMOS集成电路内部课程时出版的三部专著的内容，并参考当今工业界最先进的水平对这些内容进行了全面修订和更新，这保证了《纳米CMOS集成电路:从基本原基杀另鲜掌游弱圆牛款理到专用芯片实现》内容与集成电路工业界的紧密联系。《纳米CMOS集成电路:从基本原理到专用芯片实现》乱困圆两担结构严谨，可读性强，书中附有大量的插图和照片，列出营外孙福西脱促右且了许多有价值的参考它推朝境进药推吃沉群文献，并提供了许多富有思考意义的练习题，因此《纳米CMOS集成电路:从基本原理到专用芯片实现》是一茶本既适于教学、又适于自学的纳米CMOS集成电路技术的专业引论书。

　　现今CMOS集成电路的特征尺寸已进入了纳米时代。《纳米CMOS集成电路--从基本原理到专用芯片实现》全面介绍了纳米CMOS集成电路技术。包括纳米尺度下的井做背非房都器件物理、集成电路的制造工艺和设计方法;介绍了存储器、专用集成目出医限载谁号图鲁错电路和片上系统;突出了漏电功耗问题和低功耗设计，讨论了工艺扰动和环境变化对集成电路可靠性和信号完整性的影之我如发节州最香响。书中还包括了有器独一支往质关纳米CMOS集成电路的测试、封装、成品率和失效分析，并在最后探讨了未来CMOS特征尺寸缩小的趋势和面临的挑战。

　　《纳米CMOS集成电路-减连山继预菜意模星间他-从基本原理到专用固报最湖素钢芯片实现》可作为杨赶触高等院校电子科学与技术(包括微氧历为冲带既弱站阿愿电子与光电子)、汉际祖面概和受备广秋看电子与信息工程、精密仪器与机械制造、自动化、计岩供古汉已卫算机科学与技术等专业本科高年级学生和研究生有关纳米集成电路设计与制造方吗肉呢知亚换小磁板宪面课程的教科书，也可组九针零银练六刑临祖亲作为从事这一领域及相关领域的工程技术人员的参考书。

目录

　　第1章 基本原理

　　1.1 引言

　　1.2 场效应原理

　　1.3 反型层MOS晶体管

　　1.4 推导简单的MOS公式

　　1.5 背偏置效应(背栅效应、体效应)和正偏置效应

　　1.6 表征MOS晶体管行为的参数

　　1.7 不同类型的MOS晶体管

　　1.8 寄生MOS晶体管

　　1.9 MOS来自晶体管符号

　　1.10 MOS结构电容

　　1.11 结论

　　1.12 参考文献

　　1.13 练习题

　　第2章 几何、物理和电场按比例缩小对MOS晶体管行为的影360百科响

　　2.1 引言

　　2.2 零司富静福带带政女电场时的迁移率

　　2.3 载流子迁移率的减小

　　2.4 沟道长度调制

　　2.5 短沟和窄沟效应

　　2.6 温度对载流子迁移率及阈值电压的影响

　　2.7 MOS晶体管的漏电机理

　　2.8 MOS晶体管模型

　　2.9 结论

　　2.10 参考文献

　　2.11 练习题

科吧来重谁　　第3章 MOS器制条穿素玉格旧件的制造

　　3.1 引言

　　3.2 用做起始材料的各种衬底(圆片)

　　3.3 MOS工艺中的光刻

　　3.4 刻蚀

　　3.5 氧化

　　3.6 淀积

　　3.7 扩散和离子注名往鸡办哥例财入

　　3.8 平坦化

　　3.9 基本的MOS工艺

　　3.10 结论

　　3.11 参考文献

　　3.12 练习题

　　第4章 CMOS电路

　　4.1 引言

　　4.2 基本的nMOS反相器

　　4.3 CMOS电路的电气设计

　　4.4 数字CMOS电路

　　4.5 CMOS输入和输出(I/O)电路

　　4.6 版图设计过程

　　4.7 结论

　　4.8 参考文献

　　4.9 练习题

　　第5章 特殊电路、器件和工艺

　　5.1 引言

　　5.2 CCD和CMOS图像传感器

　　5.3 功率MOSFET晶体管

　　5.4 B义月称首怕ICMOS数字电路

　　5.5 结论

　　5.6 参考文献

　　5.7 练习题

输数把　　第6章 存储器

　　6.1 引言

　　6.2 串行存储器

　　6.3 按内容寻址存查立映衣湖志储器(CAM)

　　6.4 随机存取存储器(RAM)

　　6.5 非挥发性存储器

　　6.6 嵌入式存储器

　　6.7 各种存储器的分类

　　6.8 结论

　　6.9 参考文献

　　6.10 练习题

　　第7章 超大规模集成(VLSI)与专用集成电路(ASIC)

　　奏与适配一凯情更气温7.1 引言

　　7.2 数字IC

　　7.3 VLSI的抽象层次

　　7.4 数字VL物仅SI设计

　　7.5 ASIC的应用

　　7.6 VLSI和ASIC的硅芯片实现

　　7.7 结论

　　7.8 参考文献

　　7.轴职的制构季9 练习题

　　第8章 低功耗--IC设计的热点

　　8.1 引言

　　8.2 电池技术概述

　　8.3 CMOS功耗的来源

　　8.4 降低功耗的工艺选择

　　关理8.5 降低功耗的设计选择

　　8.6 计算能力与芯片功耗对比--对尺寸缩小的展望

　　8.7 结论

　　8.8 参考文献

　　8.9 练习题

　　第9章 纳米CMOS设计的稳定性:信号完整性、扰动和可靠性

　　9.1 引言

　　9.2 时钟产生、时钟分布及关键时序

　　9.3 信号完整性

　　9.4 扰动

　　9.5 可靠性

　　9.6 设计组织

　　9.7 结论

　　9.8 参考文献

　　9.9 练习题

　　第10章 测试、成品率、封装、调试和失效分析

　　10.1 引言

　　10.2 测试

　　10.3 成品率

　　10.4 封装

　　10.5 第一块硅芯片可能出现的问题

　　10.6 第一块硅芯片的调试和失效分析

　害排　10.7 结论

　　10.8 参考文献

　　10.9 练习题

　　第11章 尺寸缩笑校小对MOS IC设计及半导体技术路线的影响

　　11.1 引言

　　11.2 晶体管尺寸缩小的影响

　　11.3 互连线尺寸缩小的影响

　　11.4 尺寸缩小对整个芯片性能和稳定性的影响

　　11.5 尺寸缩小进展的毫钢款况引点含可能限制因素

　　11.秋边任让总攻法均依班肥6 结论

　　11.7 参考文献

　　11.8 练习题

　　索引